一般说明

AO3434A结合了先进的沟槽MOSFET

技术采用低阻抗封装提供

极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关

和电池保护应用。

产品摘要:AO3434A

VDS 30V

ID（VGS = 10V）4A

RDS（ON）（VGS = 10V）<52mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<60mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<78mΩ

典型ESD保护HBM 3A级

AO3434A

A.使用安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz测量RθJA的值。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s结至环境热阻。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

E.使用<300μs脉冲，占空比最大0.5％获得图1至图6中的静态特性。

F.这些曲线基于结到环境的热阻抗，该阻抗是通过安装在1in2 FR-4板上的器件测得的。

2盎司铜，假设最高结温TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲额定值。

AO3434A

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）52 毫欧 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）10nC @ 10VVgs（最大值）±12V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）245pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3L