规格

FET类型P沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（VDSS）12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）11A（Ta）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）1.8V，4.5V

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）16毫欧@ 11A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）1V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）47nC @ 4.5V

的Vgs（最大值）±8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）4750pF @ 6V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3W（Ta）的

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）

一般说明

AO4437采用先进的沟槽技术提供

出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极操作

电压低至1.8V。该设备适合用作

负载开关或PWM应用。它受到ESD保护。

标准产品AO4437是无铅的（符合ROHS和Sony

259规格）。 AO4437L是绿色产品订购

选项。 AO4437和AO4437L在电气上完全相同。

特征

VDS（V）= -12V

ID = -11 A（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<16mΩ（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<20mΩ（VGS = -2.5V）

RDS（ON）<25mΩ（VGS = -1.8V）

ESD额定值：4KV HBM

A：RθJA的值是使用安装在1英寸2 FR-4板上的设备测量的。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。电流额定值基于t≤10s的热阻

评分。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

D.使用80μs脉冲获得图1至6,12,14中的静态特性，占空比最大为0.5％。

E.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的装置上进行的。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。该

SOA曲线提供单脉冲评级。