规格:AO4421

FET类型P沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（VDSS）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）6.2A（Ta）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）40毫欧@ 6.2A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）55nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）2900pF @ 30V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

一般说明

AO4421结合了先进的沟槽MOSFET

技术采用低阻抗封装提供

极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关

和电池保护应用。

产品摘要

AO4421

VDS -60V

ID（VGS = -10V）-6.2A

RDS（ON）（VGS = -10V）<40mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<50mΩ

100％UIS经过测试

100％Rg测试

AO4421

A：RθJA的值是通过安装在1英寸2 FR-4板上的装置测量的，其中2盎司。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。

任何给定应用程序中的值取决于用户的特定电路板设计。电流额定值基于t≤10s的热量

阻力等级。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

D.使用80μs脉冲获得图1至6,12,14中的静态特性，占空比最大为0.5％。

E.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的装置上进行的。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。该

SOA曲线提供单脉冲评级。

AO4421