规格 AO4496

FET类型N沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（VDSS）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）10A（Ta）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）19.5毫欧@ 10A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）13nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）715pF @ 15V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）

一般说明

AO4496采用先进的沟槽技术

提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。这个

该装置适合用作DC-DC转换器

应用。

AO4496

产品摘要

VDS（V）= 30V

ID = 10A（VGS = 10V）

RDS（ON）<19.5mΩ（VGS = 10V）

RDS（ON）<26mΩ（VGS = 4.5V）

100％UIS经过测试

100％Rg测试

AO4496

A：RθJA的值是通过安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz来测量的。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

D.使用t≤300μs脉冲，占空比最大0.5％获得图1至图6中的静态特性。

E.这些测试是在装有2英寸2英寸FR-4板的设备上进行的。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。 SOA

曲线提供单脉冲额定值。

F.电流额定值基于t≤10s的热阻额定值。

G. EAR和IAR额定值基于低频和占空比，以保持Tj = 25℃。