规格 AO4480

FET类型N沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（VDSS）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）14A（Ta）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）11.5毫欧@ 14A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）3V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）22nC @ 10V

的Vgs（最大值）±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1920pF @ 20V

FET功能 -

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）

一般说明

AO4480采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON），低栅极电荷。它是ESD

受保护的。该装置适合用作低侧

切换SMPS和通用应用程序。

产品摘要 AO4480

VDS（V）= 40V

ID = 14A（VGS = 10V）

RDS（ON）<11.5mΩ（VGS = 10V）

RDS（ON）<15.5mΩ（VGS = 4.5V）

ESD额定值：4KV HBM

100％UIS经过测试

100％Rg测试

AO4480

A：RθJA的值是通过安装在1英寸2 FR-4板上的装置测量的，其中2盎司。铜，在静止的空气环境中

T A = 25℃。任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

D.使用<300μs脉冲，占空比最大0.5％获得图1至图6中的静态特性。

E.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的装置上进行的。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。 SOA

曲线提供单脉冲额定值。

F.电流额定值基于t≤10s结与环境热阻额定值。

AO4480