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深圳市宏源世纪科技有限公司
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AO4438-60V-8.2A-SOP8
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规格 AO4438
FET类型N沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(VDSS)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C时)8.2A(Ta)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)4.5V,10V
不同Id,Vgs时的Rds On(最大值)22毫欧@ 8.2A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)3V @250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值)58nC @ 10V
的Vgs(最大值)±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)2300pF @ 30V
FET功能 -
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)的
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)
一般说明
AO4438采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个
该器件适合用作负载开关或PWM
应用。
产品摘要 AO4438
VDS(V)= 60V
ID = 8.2A(VGS = 10V)
RDS(ON)<22mΩ(VGS = 10V)
RDS(ON)<27mΩ(VGS = 4.5V)
100%UIS经过测试
100%Rg测试
AO4438
A:RθJA的值是通过安装在1英寸2 FR-4板上的装置测量的,其中2盎司。铜,在静止空气环境中,T A = 25°C。该
任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。电流额定值基于t≤10s的热阻额定值。
B:重复额定值,脉冲宽度受结温限制。
C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。
D.使用<300μs脉冲,占空比最大0.5%获得图1至图6中的静态特性。
E.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的装置上进行的。铜,在静止空气环境中,T A = 25°C。 SOA
曲线提供单脉冲额定值。