规格 AO8822

FET类型2 N沟道（双）共漏

FET功能逻辑电平门

漏源电压（VDSS）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）7A

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）18毫欧@ 7A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）1V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）18nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）780pF @ 10V

功率 - 最大值1.5W

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）

一般说明

AO8822采用先进的沟槽技术提供

出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极操作

电压低至1.8V，同时保持12V VGS（MAX）

评分。该装置适合用作单向装置

或双向负载开关，由其公共设施促成

组态。

产品摘要

AO8822

VDS 20V

ID（VGS = 10V）7A

RDS（ON）（VGS = 10V）<18mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<22mΩ

RDS（ON）（VGS = 3.6V）<23mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<27mΩ

A.使用安装在1in2上的设备测量RθJA的值

FR-4板，2盎司。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s结至环境热阻。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

E.使用<300μs脉冲，占空比最大0.5％获得图1至图6中的静态特性。

F.这些曲线基于结点到环境的热阻抗，该阻抗是通过安装在1in2上的器件测量的

FR-4板用

2盎司铜，假设最高结温TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲额定值.

AO8822