规格书：AO3402

http://aosmd.com/res/data_sheets/AO3402.pdf

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4.34nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 390pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3L

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

一般说明:AO3402

AO3402采用先进的沟槽技术

出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极操作

电压低至2.5V。该设备适合用作

负载开关或PWM应用。

产品摘要:AO3402

VDS 30V

ID（VGS = 10V）4A

RDS（ON）（VGS = 10V）<52mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<65mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<85mΩ

型号：AO3402

A.使用安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz测量RθJA的值。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s结至环境热阻。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

E.使用<300μs脉冲，占空比最大0.5％获得图1至图6中的静态特性。

F.这些曲线基于结到环境的热阻抗，该阻抗是通过安装在1in2 FR-4板上的器件测得的。

2盎司铜，假设最高结温TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲线提供单脉冲额定值。

该产品已为消费者市场设计和认证。申请或使用作为关键

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