规格书：AON7520

http://aosmd.com/res/data_sheets/AON7520.pdf
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 105nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4175pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.2W（Ta），83.3W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DFN-EP（3.3x3.3）
封装/外壳 8-PowerWDFN

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