AOS/万代 AOD4186 TO-252 40V 35A MOS 场效应管
AOS/万代 AOD4186 TO-252 40V 35A MOS 场效应管
AOS/万代 AOD4186 TO-252 40V 35A MOS 场效应管
AOS/万代 AOD4186 TO-252 40V 35A MOS 场效应管
AOS/万代 AOD4186 TO-252 40V 35A MOS 场效应管
AOS/万代 AOD4186 TO-252 40V 35A MOS 场效应管

AOS/万代-AOD4186-TO-252-40V

价格

订货量(单位)

¥1.10

≥10

联系人 林小姐 销售

扫一扫添加商家

専尊專尅射尋專射将将尃

发货地 广东省深圳市
立即询价 进入商铺
扫码查看

扫码查看

手机扫码 快速查看

在线客服

商品参数
|
商品介绍
|
联系方式
品牌 AOS/万代
封装 TO-252
批号 新年份
型号 AOD4186
封装外形 TO-252
材料 N-FET硅N沟道
沟道类型 N沟道
用途 UNI/一般用途
种类 绝缘栅(MOSFET)
导电方式 增强型
数量 500000
商品介绍

规格书:AOD4186

http://aosmd.com/res/data_sheets/AOD4186.pdf

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63





                                   深圳市宏源世纪科技有限公司

 

★经营特性:本司提供同类产品不同品牌型号替代产品,以满足现代先进电子产品精密和复杂的电源要求,在保证一流品质和高性能的情况下降低您的成本,给您的产品在同行业中具有很大的成本效益与竞争优势。 ★经营范围:MOSFET(场效应管),TVS瞬变,放大器,逻辑,能源管理,音频,传感器,功率半导体等! ★应用产品:电源控制,锂电池保护,LED/液晶/显示器,笔记本/平板电脑,航模/电动玩具,电子书,智能家具,卫星导航仪等等!

 

 

联系方式
公司名称 深圳市宏源世纪科技有限公司
联系卖家 林小姐 (QQ:2885049146)
电话 尋尉尅尅-專專将尋將尋專尅
手机 専尊專尅射尋專射将将尃
传真 尋尉尅尅專專将尋將尋專尅
地址 广东省深圳市
联系二维码