本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 制造商：Infineon 产品种类：IGBT晶体管 RoHS：详细信息 技术：Si 封装/箱体：TO-247-3 安装风格：通孔 配置：单 集电极—发射极最大电压VCEO：600 V 集电极—射极饱和电压：2.3 V 正极/发射极最大电压：20 V 在25 C的连续集电极电流：55 A IGBT晶体管Pd-功率耗散：200 W IGBT晶体管最小工作温度：-55 C 封装：Tube 高度：20.7毫米 长度：15.87毫米 宽度：5.31毫米 商标：Infineon / IR 产品类型：IGBT晶体管 工厂包装数量：400 子类别：IGBT 零件号别名：IRG4PC50WPBF SP001537164 单位重量：38 g 特征 •专为开关模式电源和PFC（功率因数校正）应用而设计 •行业基准的开关损耗可提高所有电源拓扑的效率 •Eoff参数减少50％ •IGBT导通损耗低 •最新一代的IGBT设计和结构提供更紧密的参数分布，出色的可靠性 •无铅 好处 •与高达150 kHz的功率MOSFET（“硬开关”模式）相比，更低的开关损耗可提供更具成本效益的操作 •对单端转换器和提升150W及更高功率的PFC拓扑特别有用 •低的传导损耗和最小的少数载流子重组使其成为谐振模式切换（高达> 300 kHz）的绝佳选择 绝对最大额定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 55 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 27 ICM Pulsed Collector Current CD 220 ILM Clamped Inductive Load Current 0 220 VGE Gate-to-Emitter Voltage 士 20 V EARV Reverse Voltage Avalanche Energy ® 170 mJ PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 200 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 78 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (0.063 in. (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m)