DMN53D0LQ-13-N沟道-场效应管厂家
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公司介绍
深圳市钒科电子有限公司成立于2003年,总部设于深圳,香港.台湾设有分公司。钒科电子是一家代理欧美各大知名厂家大规模专用集成电路为主的元器件专业供应商。 钒科电子自成立以后,高度关注全球半导体产业动态对国内高新科技产业所产生的发展与影响,致力于用全球领先的电子元器件产品应用技术服务于国内高新科技企业,力求在产品供应服务上做到高集成、高品质、优价格和、优服务。 钒科电子凭介资深的技术顾问和经验丰富的产品销售团队,授权代理ATMEL、MICROCHIP、TI(BB)、NXP、ADI、 MAXIM(DALLAS)、NSC、NEC、JRC、XILINX 、ST、TOSHIBA等国内外品牌产品,我们提供的产品覆盖中央处理器、微控制 器、逻辑控制单元、存储器、运算放大器、驱动器、电源管理、外围监控电路,包括DSP、ARM、NPU、CPLD、FPGA、FLASH、PCI总线、 USB接口等,满足不同行业产品的开发、设计、生产需求。 以最优质的产品、最有竞争力的价格、最完善的服务满足客户需求是我们不懈努力的目标,公司以以此为奋斗的方向不断创新,逐步发展,以"芯"换"心",真诚地与国内外供应商、分销商、厂家携手合作,为电子行业的发展创造出更大的价值。
DMN53D0LQ-13 N沟道 场效应管厂家
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FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)50V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)500mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.6 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值).6nC @ 4.5VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)46pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)370mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23