IRLB3813PBF  MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 

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产品规格:

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 260 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.95 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 57 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 230 W

配置: Single

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 140 S  

下降时间: 60 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 170 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 33 ns  

典型接通延迟时间: 36 ns  

零件号别名: SP001558110  

单位重量: 6 g